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3元スパッタリング成膜装置/TS-DC・RF303 [ 404 ]

機器の詳細情報

機器情報 メーカー名:
㈱パスカル/Pascal corporation

性能:
Sputter deposition is a physical vapor deposition (PVD) method of depositing thin films by sputtering, that is ejecting, material from a "target," that is source, which then deposits onto a "substrate," such as a silicon wafer. This equipment can deposit multi composition film by using simultaneous sputtering of three target.

[Specifications]
●Vacuum level: ≤ 5 x 10-5 Pa
●Leak rate: ≤ 1 x 10-8 Pa・cm3/sec
●Substrate heating mechanism: infrared lamp heating mechanism
●Substrate heating temperature: Max. 900˚C
●Cathode Magnetron cathode
Target size: 1 inch
Target materials: varied (mechanical chuck method or bonding method)
Cooling system: water-cooling system
●Gas supply system: variable leak valve


設置場所:
404, I2CNER buildingⅠ

その他:
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サポート情報 営業担当者等:
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機器の管理者 atsushi_takagaki

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Prof. A. Takagaki Ext. 90-6711 (Ito Campus)
atakagak@cstf.kyushu-u.ac.jp
 
 
 
 
 
 
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